TOKYO, 29 Jan (Bernama-BUSINESS WIRE) -- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation hari ini mengumumkan pelancaran "SSM6N357R," sebuah MOSFET baharu dengan sebuah diod terbina dalam di antara pangkalan salir dan pangkalan get. Peranti itu sesuai untuk memacukan beban induktif, seperti geganti mekanikal. Penghantaran secara besar-besaran bermula hari ini.
SSM6N357R menggabungkan sebuah perintang tarik-bawah, satu siri perintang dan diod Zener, yang mengurangkan kiraan peralatan dan menjimatkan pada ruang papan. Tambahan pula, kerana ia merupakan sebuah produk pakej jenis dwi (2 dalam 1), ia mempunyai kira-kira 42% ruang pemasangan yang lebih kecil berbanding dengan alternatif menggunakan dua produk pakej jenis tunggal SSM3K357R (2.4 x 2.9 x 0.8 mm).
Sebuah pakej kelas TSOP6F yang standard industri, sebuah voltan pengoperasian rendah 3.0V dan kelayakan AEC-Q101 menjadikan SSM6N357R sesuai untuk bidang automotif dan banyak aplikasi lain.
http://mrem.bernama.com/mrembm/viewsm.php?idm=10807
No comments:
Post a Comment