TOKYO, 10 Jan (Bernama-BUSINESS WIRE) -- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation hari ini mengumumkan pelancaran "π-MOS IX," satu siri baharu MOSFET 600V planar. Pengeluaran secara besar-besaran bermula hari ini.
Dengan satu reka bentuk cip yang dioptimumkan, siri π-MOS IX memberikan bunyi puncak EMI 5dB yang lebih rendah[1] berbanding dengan siri π-MOS VII yang sedia ada, dan pada masa yang sama mengekalkan tahap kecekapan yang sama. Ia menawarkan kebebasan reka bentuk yang lebih hebat dan dengan itu membantu mengurangkan beban kerja reka bentuk. Di samping itu, siri π-MOS IX mempunyai arus hamburan terkadar yang sama dan arus DC terkadar, sekali gus menjadikannya lebih mudah untuk menggantikan MOSFET yang sedia ada.
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation akan mengembangkan siri π-MOS IX itu dengan penambahan lebih banyak peranti 600V, di samping peranti 500V dan 650V.
http://mrem.bernama.com/mrembm/viewsm.php?idm=10753
No comments:
Post a Comment