TOKYO, 20 Jan (Bernama-BUSINESS WIRE) -- Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) Storage & Electronic Devices Solutions Company hari ini mengumumkan pelancaran MOSFET kuasa saluran N super junction 800V untuk bekalan kuasa berkecekapan tinggi dengan rintangan rendah yang dipertingkatkan dan pensuisan berkelajuan tinggi. Dengan menggunakan struktur super junction, lapan MOSFET baharu bagi "siri DTMOS IV" mencapai kira-kira 79% pengurangan di dalam rintangan bagi setiap kawasan (RON x A) berbanding dengan “siri π-MOSVIII” Toshiba sebelum ini. Pensuisan berkelajuan tingginya yang lebih baik juga boleh menyumbang kepada kecekapan bekalan kuasa bagi set yang ia digunakan. MOSFET itu adalah sesuai untuk digunakan di dalam bekalan kuasa perindustrian, bekalan kuasa tunggu sedia untuk server, alat penyesuai dan pengecas PC komputer riba dan peranti mudah alih, dan di dalam bekalan kuasa bagi pencahayaan LED. Penghantaran bermula dari hari ini.
http://mrem.bernama.com/mrembm/viewsm.php?idm=9702
No comments:
Post a Comment