TOKYO, 2 Feb
(Bernama-BUSINESS WIRE) -- Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) Storage &
Electronic Devices Solutions Company hari ini mengumumkan pelancaran MOSFET
kuasa saluran N super junction 600V/650V dengan prestasi EMI yang
dipertingkatkan untuk digunakan di dalam peralatan industri dan pejabat.
"Siri DTMOS V" yang baharu itu akan bermula dengan barisan dua belas
produk. Penghantaran sampel bermula hari ini dengan penghantaran pengeluaran
besar-besaran dijadualkan pada pertengahan Mac.
Siri
baharu itu mengekalkan tahap yang sama bagi rintangan rendah dan prestasi pensuisan
berkelajuan tinggi bagi "siri DTMOS IV" semasa Toshiba, manakala satu
proses reka bentuk yang dioptimumkan meningkatkan prestasi EMI dengan kira-kira
3 hingga 5dB[1]. Di samping itu, pengurangan pada prestasi rintangan bagi
setiap ruang (RON x A) memungkinkan untuk menambah satu produk baharu 650V
0.29Ω ke dalam barisan pakej DPAK. Produk-produk di dalam siri baharu itu
adalah sesuai untuk digunakan di dalam bekalan kuasa bagi peralatan industri
dan pejabat yang memerlukan kecekapan yang tinggi dan saiz yang kompak, alat
penyesuai dan pengecas untuk komputer riba dan peranti mudah alih, dan komputer
peribadi dan mesin pencetak.
No comments:
Post a Comment