 |
| Toshiba: X5M007E120, bare die 1200V silikon karbida (SiC) MOSFET untuk inverter tarikan automotif dengan struktur inovatif yang memberikan kedua-dua Hidupkan-rintangan yang rendah dan kebolehpercayaan yang tinggi. (Grafik: Business Wire) |
KAWASAKI, Jepun, 14 Nov (Bernama-BUSINESS WIRE) -- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) telah membangunkan "X5M007E120," sebuah bare die[1] 1200V silikon karbida (SiC) MOSFET untuk penukar daya kenderaan[2] dengan struktur inovatif yang memberikan Hidupkan-rintangan yang rendah dan kebolehpercayaan yang tinggi. Sampel ujian kini dihantar untuk penilaian oleh pelanggan.
Kebolehpercayaan SiC MOSFET tipikal sering merosot apabila Hidupkan-rintangan meningkat disebabkan pengaktifan diod badan secara bipolar[3] semasa operasi konduksi terbalik[4]. SiC MOSFET Toshiba mengatasi isu ini melalui struktur peranti yang menggabungkan diod penghalang Schottky (SBD) ke dalam MOSFET untuk menyahaktifkan diod badan, namun, kedudukan SBD pada cip mengurangkan kawasan yang tersedia untuk saluran yang menentukan rintangan Hidupkan-operasi MOSFET dan meningkatkan cip.Hidupkan-rintangan.
Dalam MOSFET SiC X5M007E120, susunan dalam corak semak inovatif Toshiba bagi Diod Penghalang Schottky (SBD) meningkatkan prestasi berbanding corak jalur konvensional. Reka bentuk ini membantu mencegah pengaktifan bipolar diod badan, meningkatkan kapasiti operasi unipolar dengan menggandakan kawasan pembawa arus secara kasar, walaupun SBD menduduki ruang yang sama[5]. Selain itu, corak ini meningkatkan ketumpatan saluran, mengakibatkan pengurangan kira-kira 20-30% dalam Hidupan-rintangan per unit kawasan[5]. Gabungan Hidupkan-rintangan rendah dan kebolehpercayaan tinggi di bawah pengaliran songsang meningkatkan kecekapan tenaga, terutamanya dalam aplikasi kawalan motor seperti inverter tarikan automotif.
No comments:
Post a Comment